IBM constrói mais rápido transistor de silício do mundo

05/11

EAST FISHKILL, Estados Unidos – A IBM anunciou na segunda-feira ter construído um transistor, componente fundamental de um microprocessador, capaz de operar a velocidades de até 350 gigahertz –três vezes mais rápido do que a tecnologia atualmente disponível.

O transistor pode levar à fabricação de microchips extremamente rápidos, acelerando a transferência de dados em redes em fio, segundo a IBM.

Combinar dezenas de milhares de transistores gera um microchip, usado em toda espécie de aparelho eletrônico, de telefones celulares e torradeiras a computadores. O novo transistor da IBM foi criado para ser usado em aplicações de comunicações, segundo a empresa.

O transistor da IBM é feito de silício-germânio, um composto de dois materiais -silício, o mais usado dos semicondutores, e germânio, um material semelhante ao silício. Quando silício e germânio se combinam em camadas, a comutação é mais rápida.

Os transistores de silício-germânio, também conhecidos como SiGe, podem ser combinados com transistores de silício para criar circuitos de alta freqüência como os usados em telefones móveis, comutadores ópticos e outros aplicativos de comunicação.

A IBM diz acreditar que o uso do transistor pode gerar um chip de comunicação que opere a 150 gigahertz, ou 150 bilhões de ciclos por segundo, dentro de dois anos. Esse chip exigiria menos energia e teria custo mais baixo, alega-se. A velocidade dos chips atuais de comunicação é de cerca de 50 gigahertz, diz um porta-voz da IBM.

O uso de um chip baseado nesse transistor teria mais a ver com a adoção de tecnologia mais veloz pelo setor de telecomunicações do que com o desenvolvimento do chip em si, disse um executivo da IBM.(segue)