Estudantes norte-americanos criam transistor mais rápido do mundo

11/11/2003Liderada pelo professor Milton Feng, uma equipe da Universidade de Illinois nos EUA criou um transistor capaz de operar a 509 GHz, 57 MHz mais veloz que o recorde anterior. Transistores são componentes fundamentais na construção de microprocessadores e na indústria das telecomunicações. Para conseguir tal velocidade, a equipe modificou o design do componente, aumentando a largura do coletor e do emissor e utilizando novos materiais na sua construção. Em vez dos tradicionais silício e germânio, e equipe selecionou os elementos Índio (49) e Gálio (31). Recordes na área de desenvolvimento de transistores não costumam durar muito. Em janeiro deste ano a equipe do professor Feng criou um transistor de 382 GHz. Em maio, conseguiram atingir os 452 GHz. “Nosso objetivo final é um transistor capaz de operar a 1 Terahertz”, disse o professor.

Rafael Rigues